| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | - | |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | |
| 漏源导通电阻 | 55mΩ @ 3.2A,10V | |
| **功率耗散（Ta=25°C） | 480mW | |
| 类型 | N沟道 |
贴片N沟道场效应管NTR4170NT1G
公司档案深圳市优起辰电子有限公司
会员类型： 普通会员 已缴纳保证金： ￥0.00 元 成立年份： 2015 会员年限： 第4年 证件审核：
    资料通过认证
访问人气： 339次
即时通讯：
办公地点： 福田区中航路新亚洲电子商城一期4B025A室 更多信息：展开+
站内搜索 |
贴片N沟道场效应管NTR4170NT1G
详细信息
共0条 相关评论 |